тонкоплівкові інтегральні схеми,тонкоплівкова підкладка,тонкоплівковий процес

Категорії

авіоніка & військові перетворювачі постійного струму
синхро До цифрові перетворювачі та Resolver До цифрові Перетворювачі (SDC / RDC)
- синхронізація з цифровими перетворювачами або Resolver до цифрових перетворювачів модуль (SDC / RDC)
- цифровий перетворювач у синхросигнал або цифровий перетворювач у Resolver перетворювачі модуль (DRC / SRC)...
космічні постійні перетворювачі постійного струму -
Міл-сорт Високої напруги перетворювачі постійного струму
- Міл-сорт Високої напруги вихід високої надійності перетворювачів постійного струму
- Міл-сорт Високої напруги вхідні перетворювачі постійного струму високої надійності
підсилювачі модуляції з широтно-імпульсною модуляцією
- примітки до заявки
- підсилювачі модуляції з широтно-імпульсною модуляцією
низька температура Спільна керамічний (LTCC)
висока температура Спільна керамічний (HTCC)
тонка плівка
товста плівка

Бестселер

висока точність і надійність тонкоплівкових виробів

ЄКРІМ має тонкоплівкову гібридну інтегральну схему через стандартну виробничу лінію національної армії він також має світ вдосконалене обладнання для формування магнетронного розпилення, машина для високоточного лазерного опору, літографічна машина, машина для плазмового травлення, зварювальний апарат із кульового золота тощо на основі тонкоплівкового процесу, він розробляє та розробляє продукти тонкоплівкового процесу та гібридну інтегровану обробку сигналів схеми. за останні 40 років ECRIM розробив велику кількість високоточних та якісний тонкоплівкові технології та схеми для підтримки національних ключових інженерних проектів. Основною продукцією є різноманітна мережа опору тонкої плівки, мікрохвильова підкладка, точна схема обробки сигналів, гібридна інтегральна схема високої щільності тощо

тонкоплівковий технологічний продукт

точність тонкої плівки опір: точність: ± 0,1 % ～ ± 0,02 %
температура коефіцієнт: ≤ ± 25 проміле / ℃
тонкоплівкова керамічна металізація і мікрохвильова піч субстрат:
основа матеріал: оксид алюмінію, нітрид алюмінію, кварц тощо
Точність: точність лінії ± 2,5 мкм, мінімальна ширина лінії та відстань 20 мкм
частота діапазон: Постійного струму ～ 110G

тонка плівка аттенюатор: висока частота до 26 ГГц, низька стояча хвиля, висока точність загасання
гібридна інтегральна сигнальна схема

сервопривід датчика ланцюг: попередній підсилювач, перетворювач температури, підсилювач заряду, мем акселерометр і мемс гіроскоп.

тип ізоляції ланцюг: ізоляція сигналу або ізоляція джерела живлення, підсилювач ізоляції
точність посилання джерело: мала напруга, опорний струм, I / F
фотоелектрична схема: гібридне вбудоване оптичне волоконне фотоелектричне перетворення, модуль передачі
мікрохвильова схема: P / L / C / S / Х-діапазон канали, підсилювач середньої та низької потужності
нестандартна схема: всі види високоточних перетворення сигналу, ланцюг приводу, виділена схема мініатюризації

якість продукції відповідає вимогам щодо якості та оцінки надійності, зазначеним у GJB2438A-2002, а найвищий клас якості досягає аерокосмічного класу (K клас).

тонка плівка

Модель	параметр 3	параметр 2	параметр 1
Power heat sink	Material: AlN/BeO	Accuracy: line width/line spacing accuracy ±5um	Metalization: Ti, Cu, Ni, Pt, Au, prefabricated AuSn film, etc
Chip components	Precision : ±0.1% -- ±0.02%	Passivation layer structure : SiO2+Si3N4、SiO2	Resistance range : 10Ω—1MΩ
Highly reliable subs	Material: Al2O3/AlN.	Accuracy: line width/line spacing accuracy ±5um	Metalization: Ti, Ni, Pt, Au, thin film resistors, prefabricated AuSn films, etc
Coaxial attenuator	Frequency :DC -18000	Attenuation: 0.7-1.3	Max standing wave ratio :1.3
Thin film attenuator	Applicable frequency : DC~ 18GHz	Power : 1W	Standing wave : ≤ 1.2
Microwave substrate	Material: Al2O3.	Accuracy: line width/line spacing accuracy ±2.5um.	Metalization: Ti, Ni, Pt, Au, TaN resistors, prefabricated AuSn films, etc.
Thin film Substrate	Metalization: Ti, Ni, Pt, Au, TaN resistance, prefabricated AuSn film, etc	Accuracy: line width/line spacing accuracy ±2.5um.	Material: AlN/Al2O3/multilayer AlN-HTCC/quartz